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【2h】

Sub-GeV Electron and Positron Channeling in Straight, Bent and Periodically Bent Silicon Crystals

机译：直Get，Bent和周期弯曲硅晶体中的亚GeV电子和正电子沟道

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2. Radiation of 375 MeV electrons and positrons during channeling in straight and periodically bent diamond crystals [J] . Solovyov Andrei V., Pavlov Alexander V., Ivanov Vadim K., St. Petersburg Polytechnic University Journal: Physics and Mathematics . 2019,第4期

机译：通道中375 MeV电子和正电子在笔直且周期性弯曲的金刚石晶体中的通道中的辐射
3. Electron and positron propagation in straight and periodically bent axial and planar silicon channels [J] . Gennady B. Sushko, Andrei V. Korol, Andrei V. Solovyov St. Petersburg Polytechnic University Journal: Physics and Mathematics . 2015,第3期

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4. Channeling of Positrons through Periodically Bent Crystals: On Feasibility of Crystalline Undulator and Gamma-Laser [C] . A.V. Korol, A.V. Solovyov, W. Greiner, International Symposium on Channeling-Bent Crystals-Radiation Processes . 2003

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5. Why Are Some Crystals Straight? Computational Studies of Bent and Twisted Molecular Nanocrystals [D] . Li, Chao . 2020

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6. Study of inelastic nuclear interactions of 400 GeV/c protons in bent silicon crystals for beam steering purposes [O] . W. Scandale, F. Andrisani, G. Arduini, -1

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8. Channeling, Volume Reflection and Gamma Emission using 14GeV Electrons in Bent Silicon Crystals. [R] . Benson, B. 2015

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